針光刻系統(tǒng)(SPL)
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技術(shù)特點(diǎn):
1場(chǎng)發(fā)射低能電子束
l 大幅降低電子束背底散射
l 幾乎消除電子束臨近效應(yīng)
l 無需調(diào)制電子束聚光
l 10 nm 以下光刻精度
l 接近原子級(jí)分辨的套刻精度
l 線寫速度高達(dá) 300 μm/s
l 大氣環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)正負(fù)光刻
l 正光刻流程無需顯影步驟
l 大范圍分步重復(fù)工藝
l Mix & Match 混合光刻模式
l 閉環(huán)系統(tǒng):光刻成像同一針尖反復(fù)交替進(jìn)行
l 多針尖并聯(lián)陣列提高效率
產(chǎn)品規(guī)格
光刻模式 | 正光刻、負(fù)光刻 |
工作環(huán)境 | 大氣、真空 |
最小線寬 | 5 nm (驗(yàn)收指標(biāo)) |
直寫速度 | 300 μm/s |
套刻精度 | < 7 nm |
拼接精度 | < 10 nm |
最大光刻區(qū)域 | 200 μm x 200 μm |
最大樣品尺寸 | 直徑:150 mm (6 英寸) |
占用空間 | 80 cm x 100 cm x 190 cm |
探針掃描頭配置
工作模式
頂部XYZ掃描頭
掃描范圍
(XYZ) 10 μm × 10 μm × 5 μm 可擴(kuò)展至 200 μm × 200 μm
定位精度(XYZ)
0.01 nm;0.01 nm;0.01 nm
傳感器
壓阻閉環(huán)傳感
輸入/輸出頻道
3
樣品臺(tái)配置
工作模式
底部XY定位器
運(yùn)動(dòng)范圍(XY)
18 mm × 18 mm 可擴(kuò)展 150 mm × 150 mm
最大運(yùn)動(dòng)速度
20 mm/s
運(yùn)動(dòng)精度
7 nm
運(yùn)動(dòng)重復(fù)性
80 nm (每運(yùn)動(dòng)100 μm)
AFM功能參數(shù)
樣品/探針接近
自動(dòng)(無需激光對(duì)準(zhǔn))
探針調(diào)諧
自動(dòng)
懸臂梁激發(fā)模式
雙材料熱機(jī)械激發(fā)
檢測(cè)原理
壓阻讀數(shù)
掃描模式
接觸式,非接觸式
探針移動(dòng)范圍
20 mm × 20 mm × 10 mm
精度
< 10 nm
重復(fù)性
± 25 nm
AFM成像范圍
10 μm × 10 μm × 5 μm 可擴(kuò)展至 200 μm × 200 μm
本底噪聲
0.01 nm rms 垂直方向
橫向精度
99.7% 閉環(huán)掃描
掃描速度
0.01 線/秒 至 10 線/秒
實(shí)時(shí)圖像顯示
二維、三維形貌,相位,頻移,振幅
電子配置
分辨率 振幅/相位
16-bit
反饋控制平臺(tái)
實(shí)時(shí)FPGA
帶寬
8 MHz
計(jì)算機(jī)接口
USB, 以太網(wǎng)可選
傳感器調(diào)節(jié)
0-4 V可編程電橋
軟件
實(shí)時(shí)修正
線, 面, 多項(xiàng)式
輪廓線測(cè)量
YES
粗糙度測(cè)量
YES
對(duì)比度/亮度/色彩調(diào)節(jié)
YES
3D 圖像
YES
線平均
YES
圖像輸出
bmp, png, jpg格式
原始數(shù)據(jù)輸出
txt格式
圖像后續(xù)處理軟件
Gwyddion, WSxM
